太仓研磨废水处理质优价廉 一体化污水处理设备

太仓研磨废水处理质优价廉

在集成电路封装制作历程中会对晶片进行切割和研磨，并且会运用超纯水进行洗净，这样就发生了少量的切割研磨废水。目前国内很多的厂家是采取加药混凝积淀和滤袋过滤方法处理的，出水到达污水综合处理达标排放的规范，有一些厂家尽管是采取膜法过滤处理废水，但膜梗塞重大，清洗频繁，少量使用化学药剂，运行老本昂扬。

半导体研磨废水的处理方法，其特性在于，包含如下步骤：

（1）通过废水搜集箱搜集硅片研磨发生的废水；

（2）应用水泵将废水泵入多介质过滤器进行一次过滤；

（3）将经过一次过滤的水送入保安过滤器进行第二次过滤，所述的保安过滤器用于掩护超滤膜；

（4）将经过第二次过滤的水送入超滤膜过滤安装中进行第三次过滤；

（5）通过SDI测定仪或许浊度仪测定并判定经过第三次过滤的水能否契合欲先设定的规范请求，如契合规范请求，送入产水箱；如不契合规范的请求， 送入废水搜集箱反复步骤S1至S4。

生物接触氧化法、SBR、A/O及A2/O等。常用的A/O处理技术的原理是，在缺氧池中微生物将污水中的硝酸盐氮和亚硝酸盐氮还原成气态氮逸出，同时将难降解大分子有机物分解为小分子易降解物质，具有脱氮、水解和降解部分有机物的作用；在好氧池中，大部分有机物被微生物处理，并进入二沉池进行泥水分离，经消毒后排出。 A/O工艺在脱硝的同时降解有机物，使需氧量大大减少，是节能型的生物处理技术。为了维持较高的硝化率，反应停留时间比普通活性污泥法长，污泥沉降性能好，污泥增长率低，剩余污泥量少，沉降性能好。水解酸化池的出水自流入生物接触池, 通过好氧微生物的作用，将废水中的污染物分解、转化为H2O、CO2 、Nspan 等物质，大幅度去除废水中COD、BOD。接触氧化池出水进入MBR膜超滤系统进行泥水分离，消毒后出水各项污染指标达到规定的排放标准. 洗衣废水经过上述系统处理后可重新进行回用，去除硬度后，还有利于减少洗涤剂的用量，而且衣物更易清洗干净。整个系统也维持着良性循环的状态。在接触氧化过程中采用三级接触氧化即能确保废水的排放，可有效地节省能源。二沉池为竖流式结构，上升流速为0.3~0.4mm/s，沉降下来的污泥输送到污泥池。污泥池用来消化污泥，污泥池上清液输送至生化反应池部分，进行再处理。污泥池消化后的剩余污泥很少，一般1~2年清理一次，清理方法可用吸粪车从检查孔伸入污泥池底部进行抽吸，由二沉池排出的上清液进入消毒池消毒处理后排放。按规范考虑消毒池接触时间大于30min。

半导体产业是近些年来中国工业发展中引人注目的先进产业，具有很大的市场和发展潜力，在将半导体晶圆变成具有各种功能的终端产品的过程中，根据产品要求及设定的尺寸大小，需要对晶圆进行研磨和切割处理，同时在研磨和切割过程中使用水对晶圆进行清洗，这样就产生了大量的研磨和切割废水。研磨和切割废水中的主要污染物为悬浮颗粒物(亚微米级硅粉、纳米级的金刚石磨料颗粒等)和清洗剂，此类废水的特点是悬浮物浓度高，质量轻，极难沉淀，外观浑浊，生化性比较差而且一般呈现弱碱性。在没有外加化学品的情况下，其有机物、氮、磷含量很低，几乎可以忽略不计。

现有的研磨和切割废水处理系统中，主要有化学混凝沉淀处理、膜过滤处理、吸附法处理等，其中以化学混凝比较常见，但是用一般PAC/PAM处理对极细小的悬浮物处理效果不佳且沉降很慢，使处理后的水不易被回收再利用。现我司有矿粉絮凝药剂，可以将此类废水里的难溶小颗粒有效聚团并快速沉降，有利于废水回用。

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产品测试：

此款矿粉絮凝剂适用于所有工业废水中 SS 的去除，主要侧重对清洗类废水的处理，如有色、有味、高悬浮物废水的处理，本产品中含有的比面积大的多孔性物质，具有很强的表面活性，吸附能力强；同时兼具一定的除磷及 COD 去除功能，且污泥性状较好。

案例介绍：

某半导体制造企业，原有工艺用PAC/PAM处理，絮体颗粒细小且沉降慢，对其后道膜过滤回收利用冲击较大，使用我司的矿粉絮凝剂后，絮体/矾花聚团且沉降速度快，缩短了工艺沉淀时间，大大提高客户的膜处理回用效率。

半导体工业是一个十分依赖水资源的行业，也是高耗水的行业，尤其在水资源有限的情形下，限水、缺水对半导体生产企业的营运产生巨大压力。因此， 对半导体生产企业节约用水的研究与实践，有助于提升用水效益，降低用水成本。目前，节约用水、中水回用、废水的回收利用已成为半导体业者应对缺水危机的重要措施，特别是废水的回收利用，既能减少对水资源的需求，又能降低生产成本，同时也减少对环境的污染。

半导体工业废水主要包括两部分：硅圆片切割及研磨的废水及半导体器件封装外壳的电镀废水。其中半导体器件封装外壳的电镀废水主要是指半导体集成电路器件封装外壳的电镀废水以及半导体分立器件封装外壳的电镀废水，即在所述封装外壳的金属零部件上分层电镀起导电及防腐作用的金属层时产生的废水，其中的污染物主要是酸和碱及锡、铅、铜、镍等金属离子，以及有机物和有机络合物等；其中的硅圆片切割及研磨的废水产生于硅圆片的切割研磨工序中，其中含有大量的亚微米级硅颗粒、数十纳米以下的金刚砂磨料颗粒及清洗剂。

在现有技术中，上述电镀废水及研磨废水通常采用分流处理的方法。其中电镀废水处理目前大多采用化学还原、沉淀、吸附、微电解、蒸发以及离子交换等方法，这些废水处理方法中，(1)需要使用大剂量的氢氧化钠、絮凝剂等，处理过程中产生大量的有害重金属污泥；(2)处理系统占地面积大，流程繁琐； (3)操作复杂，由于这部分生产废水水质不稳定，导致出水水质不稳定，从而无法直接回收利用水资源。